NXP Semiconductors MRF101AN
$ 30.355
EOL
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2018-11-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-09-30
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors MRF101AN, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
RF Power Transistor, 1.8 to 250 MHz, 100 W CW, Typ gain in dB is 23 @ 50 MHz, TO-220-3L, LDMOS
TO-220-3 LDMOS ROHS3Compliant RF Mosfet 100mA 115W 21.1dB 1.8MHz~250MHz
MRF Series 50 V 250 MHz 100 W CW Wideband RF Power LDMOS Transistor - TO220-3
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Rf Fet Transistor, 133V, 182W, To-220; Drain Source Voltage Vds:133V; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:182W; Operating Frequency Min:1.8Mhz; Operating Frequency Max:250Mhz; Rf Transistor Case:To-220; No. Of Rohs Compliant: Yes |Nxp MRF101AN
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Drain to Source Breakdown Voltage133 V
Drain to Source Voltage (Vdss)133 V
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage133 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation182 W
Schedule B8541290080
Dimensions
Height19.91 mm
Datenblätter und Dokumente
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