NXP Semiconductors 2N7002E
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date2002-02-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors 2N7002E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 60V 0.385A 3-Pin TO-236AB
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.385A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
385 mA 60 V N-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET TO-236AB
IC, MOSFET N CH 60V 0.28A SOT23
MOSFET, N CH, 60V, 0.385A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:385mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.78ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:830mW; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)385 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance40 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation830 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-65 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max3 Ω
Threshold Voltage2 V
Datenblätter und Dokumente
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