NTE Electronics NTE2371
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von NTE Electronics NTE2371, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Mosfet P-channel 100V Id=19A TO-220 Case High Speed Switch Enhancement Mode Rds=0.2 Ohm
NTE Electronics
TRANSISTOR, NTE2371, TO-220, PWR-MOSFET,P-CHAN,100V
Ic, P Channel High Speed Switch, 19A, To220-3; Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:19A; On Resistance Rds(On):0.2Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Threshold Voltage Vgs:4V Rohs Compliant: Yes
IC, P-CH HIGH SPEED SWITCH, 19A, TO220-3; IC, P-CH HIGH SPEED SWITCH, 19A, TO220-3; Power Dissipation Pd:150W; No. of Pins:3; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Filter Terminals:Through Hole; Leakage Current:500µA; Mounting Type:Through Hole; No. of Channels:1
Aliasnamen des Herstellers
NTE Electronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NTE Electronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NTE
- NTE Electronics Inc
- NTE ELECT
- NTE Electronics Incorporated
- NTE ELECTRONICS ACCT
- NTE Electronic Inc
- NTE/EDGE
- NTE/PHILIPS ECG
- NTE 88'S
- PROSPERITY ELECTRONICS CO LTD
- NTE/PEC
- NTE Electronics Inc (use ECG / NTE Electronics)
- NTE-F
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.257478 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.4 nF
Leakage Current500 µA
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Recovery Time260 ns
Dimensions
Height12.7 mm
Length152.4 mm
Width76.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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