NTE Electronics NTE221
$ 10.56
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von NTE Electronics NTE221, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet N-channel Dual Gate 20V Idss=18ma TO-72 Case Vhf AMP/mixer Applications
NTE Electronics
MOSFET, N-CH, ID 18MA, TO-3,VGS +1 TO -8 V (GATE-1), -8 V (GATE-2),-65DEGC,+175DEGC
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-72
Dual Gate Rf Mosfet, N Channel 20V, To72; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:18Ma; Power Dissipation:400Mw; Operating Frequency Min:-; Operating Frequency Max:-; No. Of Pins:3Pins; Channel Type:N Channel; Msl:-Rohs Compliant: Yes |Nte Electronics NTE221
Aliasnamen des Herstellers
NTE Electronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NTE Electronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NTE
- NTE Electronics Inc
- NTE ELECT
- NTE Electronics Incorporated
- NTE ELECTRONICS ACCT
- NTE Electronic Inc
- NTE/EDGE
- NTE/PHILIPS ECG
- NTE 88'S
- PROSPERITY ELECTRONICS CO LTD
- NTE/PEC
- NTE Electronics Inc (use ECG / NTE Electronics)
- NTE-F
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-72
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight7.257478 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.5 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation400 mW
Dimensions
Height4.82 mm
Length152.4 mm
Width76.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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