NTE Electronics NTE2117

Integrated Circuit 16K Dynamic Ram(dram) 200ns 16-lead DIP
Obsolete
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IHS

Datasheet5 SeitenVor 19 Jahren

Master Electronics

Newark

Lieferkette

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von NTE Electronics NTE2117, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Integrated Circuit 16K Dynamic Ram(dram) 200ns 16-lead DIP
NTE Electronics
Page Mode DRAM, 16KX1, 200ns, MOS, PDIP16
IHS
DRAM Chip DRAM 16Kbit 16Kx1 5V 16-Pin DIP
Verical
replacement Memory 16K X 1 DRAM 200NS
Mouser
DRAM Memory IC; Memory Type:NMOS DRAM; Interface Type:TTL; Memory Size:16KB; Memory Organization:16K x 1; Memory Voltage, Vcc:5V; Supply Voltage Min:4.5V; Supply Voltage Max:5.5V; Termination Type:Through Hole; Package/Case:16-DIP
Newark

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Master Electronics

Aliasnamen des Herstellers

NTE Electronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NTE Electronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • NTE
  • NTE Electronics Inc
  • NTE ELECT
  • NTE Electronics Incorporated
  • NTE ELECTRONICS ACCT
  • NTE Electronic Inc
  • NTE/EDGE
  • NTE/PHILIPS ECG
  • NTE 88'S
  • PROSPERITY ELECTRONICS CO LTD
  • NTE/PEC
  • NTE Electronics Inc (use ECG / NTE Electronics)
  • NTE-F