NTE Electronics NTE2104

Integrated Circuit 4K Dynamic Ram(dram) 200NS 16-LAD DIP
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für NTE Electronics NTE2104 herunter.

IHS

Datasheet3 SeitenVor 19 Jahren

Newark

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.32.00.71
Introduction Date1996-03-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von NTE Electronics NTE2104, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

INTEGRATED CIRCUIT 4K DYNAMIC RAM(DRAM) 200NS 16-LAD DIP
NTE Electronics
replacement Memory 4K X 1 SRAM 200NS
DRAM Memory IC; Memory Type:NMOS DRAM; Memory Size:4KB; Memory Organization:4K x 1; Memory Voltage, Vcc:5V; Supply Voltage Min:4.5V; Supply Voltage Max:5.5V; Termination Type:Through Hole; Package/Case:16-DIP; No. of Pins:16

Aliasnamen des Herstellers

NTE Electronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NTE Electronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • NTE
  • NTE Electronics Inc
  • NTE ELECT
  • NTE Electronics Incorporated
  • NTE ELECTRONICS ACCT
  • NTE Electronic Inc
  • NTE/EDGE
  • NTE/PHILIPS ECG
  • NTE 88'S
  • PROSPERITY ELECTRONICS CO LTD
  • NTE/PEC
  • NTE Electronics Inc (use ECG / NTE Electronics)
  • NTE-F