NTE Electronics NTE129P
$ 2.515
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Beschreibungen
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TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, PNP, AMPLIFIER, POWER, VCEO 80V, IC 1A, PD 0.85W, TO-237
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-237AA
Transistor PNP Silicon 100V IC= 1a TO-237 General Purpose AMP
NTE Electronics
TRANSISTOR,PNP,SI,GEN PURP AMP TO-237 PKG,COMPL TO NTE128P
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-237
Bipolar Transistor, Pnp, -80V, To-237; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:80V; Continuous Collector Current:1A; Power Dissipation:850Mw; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:3Pins; Product Range:- |Nte Electronics NTE129P
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:850mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3
Aliasnamen des Herstellers
NTE Electronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NTE Electronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NTE
- NTE Electronics Inc
- NTE ELECT
- NTE Electronics Incorporated
- NTE ELECTRONICS ACCT
- NTE Electronic Inc
- NTE/EDGE
- NTE/PHILIPS ECG
- NTE 88'S
- PROSPERITY ELECTRONICS CO LTD
- NTE/PEC
- NTE Electronics Inc (use ECG / NTE Electronics)
- NTE-F
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-237
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Saturation Voltage350 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min100
Max Collector Current1 A
Max Frequency50 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation2 W
Transition Frequency50 MHz
Dimensions
Height4.57 mm
Length5.08 mm
Width3.55 mm
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