NTE Electronics 2N3906
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
Verwandte Teile
onsemiKSD1616ALBU
Bulk Through Hole NPN KSD1616 Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100mA 2V 1A 750mW 160MHz
Beschreibungen
Beschreibungen von NTE Electronics 2N3906, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor PNP Silicon 40V IC=200ma TO-92 Case General Purpose Amplifier And Switch
NTE Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Rf Transistor, Pnp, 80V, To-92; Transistor Polarity:pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:80V; Transition Frequency Ft:-; Power Dissipation Pd:625Mw; Dc Collector Current:800Ma; Rf Transistor Case:to-92; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92
-0.25V @IC = -10 mA,IB = -1.0 mA PNP 625mW 5V 40V 40V 200mA TO-92 Through hole mounting 5.33mm(height)
Aliasnamen des Herstellers
NTE Electronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NTE Electronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NTE
- NTE Electronics Inc
- NTE ELECT
- NTE Electronics Incorporated
- NTE ELECTRONICS ACCT
- NTE Electronic Inc
- NTE/EDGE
- NTE/PHILIPS ECG
- NTE 88'S
- PROSPERITY ELECTRONICS CO LTD
- NTE/PEC
- NTE Electronics Inc (use ECG / NTE Electronics)
- NTE-F
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
hFE Min30
Max Collector Current200 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation625 mW
Transition Frequency250 MHz
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