Nexperia PUMB2

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, PNP
Production
Datenblatt
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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Component Stockers USA
PUMB2
408
USD
99,990
99,990
99,990
99,990
99,990
>1wk
Win Source
WS-PUMB2
222.222
1195
USD
0,035
22h
XINVRY
PUMB2
38.875
USD
7,590
7,590
7,590
7,590
7,590
2d
Fmall Co., Limited
PUMB2
7.600
USD
0,021
0,020
0,019
0,018
0,018
>1wk
Aztech
PUMB2
4.814
USD
5,300
5,300
5,300
5,300
5,300
16h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 3 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 23 Jahren

Farnell

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
NexperiaPUMB2
NexperiaPUMB2,115
Price @ 1000
$ 0.055
Stock
1,438,598
1,359,541
Authorized Distributors
0
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-363
TSSOP
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
180 MHz
180 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
150 mV
150 mV
hFE Min
80
80
Power Dissipation
200 mW
-

Lieferkette

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-08-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Nexperia PUMB2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, PNP
IHS
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin TSSOP
Verical
100 mA 50 V 2 CHANNEL PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Component Stockers USA
TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:80; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:-150mV; Continuous Collector Current Ic Max:100A; Current Ic Continuous a Max:100A; Current Ic hFE:5mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:68; No. of Transistors:2; Package / Case:SOT-363; Power Dissipation Pd:200mW; Power Dissipation Ptot Max:300mW; Resistance R1:47kohm; Resistance R2:47kohm; Termination Type:SMD; Transistor Type:Bias Resistor (BRT); Voltage Vcbo:-50V
element14 APAC

Bilder

Farnell
Farnell
Farnell
RS
Newark

Aliasnamen des Herstellers

Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • Infineon_Nexperia
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • PUMB 2