Nexperia PMV40UN2R
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-04-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN3070SSN-7
Single N-Channel 30 V 50 mOhm 6 nC 0.78 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
InfineonIRLML5203TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 98Milliohms;ID -3A;Micro3;PD 1.25W;-55degc
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia PMV40UN2R, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
NEXPERIA - PMV40UN2R - MOSFET Transistor, N Channel, 4.4 A, 30 V, 0.036 ohm, 4.5 V, 650 mV
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 4.4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Surface Mount
Nexperia N-Channel MOSFET PMV40UN2, Vds=30V, 4.4A, SOT-23, SMD, 3-Pin
PMV40UN2 Series 30 V 44 mOhm 3.7 A SMT N-Channel TrenchMOS FET - TO-236AB
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET, N-CH, 30V, 4.4A, SOT-23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.036ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:650mV
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance44 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance635 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation490 mW
Rds On Max44 mΩ
Resistance36 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage400 mV
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen