Nexperia PDTD113ZT,215

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
$ 0.048
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
DigiKey
3
1727-6281-1-ND3.0001Cut Tape
TME
2
PDTD113ZT.21501
12h
NewarkPDTD113ZT,21503KTape & Reel
Future ElectronicsPDTD113ZT,21503KTape & Reel
AvnetPDTD113ZT,21503K
2d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Nexperia PDTD113ZT,215 herunter.

IHS

Datasheet8 SeitenVor 3 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 17 Jahren

Farnell

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-100%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Nexperia PDTD113ZT,215 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-04-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Verwandte Teile

ROHMDTD143ECT216
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Details
ROHMDTC144GKAT146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Details
Toshiba2SC2712-Y,LF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Details
Toshiba2SC2712-O(TE85L,F)
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Details
onsemiMUN2213T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Details
ToshibaRN1409(TE85L,F)
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Nexperia PDTD113ZT,215, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
IHS
50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 1 kΩ, R2 = 10 kΩ
Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Verical
NPN - Pre-Biased 250mW 500mA 50V SOT-23(SOT-23-3) Digital Transistors ROHS
Dasenic
300mV@ 2.5mA,50mA NPN - Pre-Biased 250mW 5V 500nA 50V 50V 500mA TO-236AB 1.1mm
UnikeyIC
Pre Biased Triodes 500mA NPN SOT-23 1KΩ 50V 250mW +150℃(TJ)
HQonline
BRT TRANSISTOR, NPN, 50V, 500MA, 1KOHM / 10KOHM, 3-SOT-23; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:500mA; Base Input Resistor R1:1kohm; Base-Emitter Resistor R2:10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:10 ;RoHS Compliant: Yes
Newark

Bilder

Nexperia
RS
element14 APAC
Farnell
Newark
Future Electronics
TME
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)