Nexperia PDTC123YU,115

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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Datasheet12 SeitenVor 2 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 16 Jahren

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-03-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Verwandte Teile

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.DDTC113ZUA-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
Diodes Inc.DDTC123JUA-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Diodes Inc.DDTC123EUA-7-F
DDTC123UA Series NPN 50 V 100 mA Digital Transistor Surface Mount - SOT-323-3

Beschreibungen

Beschreibungen von Nexperia PDTC123YU,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm
PDTC123YU Series 50 V 100 mA SMT NPN Resistor-Equipped Transistor - SOT-323
150mV@ 500¦ÌA,10mA NPN - Pre-Biased 200mW 5V 1¦ÌA 50V 50V 100mA SOT-323 2.2mm*1.35mm*1mm
Small Signal Digital (BRT) Transistor; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:2.2kohm; Base-Emitter Resistor R2:10kohm; Resistor Ratio, R1/R2:4.5 ;RoHS Compliant: Yes
TRANS NPN W/RES 50V SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:35; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Collector Emitter Voltage Vces:150mV; Current Ic Continuous a Max:10mA; Hfe Min:35; Package / Case:SOT-323; Power Dissipation Pd:200mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose

Aliasnamen des Herstellers

Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • PDTC123YU 115
  • PDTC123YU,115.
  • PDTC123YU-115
  • PDTC123YU115
  • PDTC123YU@115