Nexperia PDTA143ZU
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonBCR158WH6327XTSA1
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.BC857CW-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia PDTA143ZU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
100 mA 50 V PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236
PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW
TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-323; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Collector Emitter Voltage Vces:-100mV; Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic Continuous a Max:100A; Current Ic hFE:10mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-323; Power Dissipation Pd:200mW; Power Dissipation Ptot Max:200mW; Resistance R1:4.7kohm; Resistance R2:47kohm; Termination Type:SMD; Transistor Type:Bias Resistor (BRT); Voltage Vcbo:-50V
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-323
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage100 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-10 V
hFE Min100
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation200 mW
Transition Frequency180 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen