Nexperia PBSS302NX,115

PBSS302NX Series 20 V 5.3 A 1.65 W SMT NPN Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-89
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Nexperia

Datasheet16 SeitenVor 16 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date2006-08-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Verwandte Teile

Diodes Inc.ZXTN2005ZTA
Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Diodes Inc.ZXTN19020DZTA
ZXTN19020DZ Series NPN 20 V 7.5 A High Gain Power Transistor SMT - SOT-89-3
Diodes Inc.BCX6825TA
20V 1W 160@500mA,1V 1A NPN SOT-89-3 Bipolar (BJT) ROHS
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 100mA 2V 100nA ICBO 500mW 150MHz
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 2V 100nA ICBO 500mW 150MHz

Beschreibungen

Beschreibungen von Nexperia PBSS302NX,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

PBSS302NX Series 20 V 5.3 A 1.65 W SMT NPN Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-89
Trans GP BJT NPN 20V 5.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Power Bipolar Transistor, 5.3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:20V; Transition Frequency Typ, ft:140MHz; Power Dissipation, Pd:2.1W; DC Collector Current:5.3A; DC Current Gain Max (hfe):570 ;RoHS Compliant: Yes
TRANS NPN 20V 5.3A SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:5.3A; DC Current Gain hFE:570; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:25mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:140MHz; Hfe Min:300; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:600mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS)

Aliasnamen des Herstellers

Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • PBSS302NX 115
  • PBSS302NX115