Nexperia NX3008PBKW,115
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia NX3008PBKW,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-Channel 30 V 4.1 Ohm 0.52 nC Surface Mount TrenchMOS FET - SOT-323
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET
Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 3-Pin SC-70 T/R
30V 200mA 260mW 4.1´Î@4.5V200mA 1.1V@250Ã×A P Channel SOT-323 MOSFETs ROHS
30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET
Nexperia PMOS, Vds=30 V, 200 mA, SOT-323, , 3
MOSFETs; NX3008PBKW,115; NEXPERIA
MOSFET, P CH, 30V, 200MA, SOT323, REEL; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -200mA; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 2.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vg
Mosfet, P Channel, 30V, 200Ma, Sot323; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-200Ma; Tensión Drenaje-Fuente Vds:-30V; Resistencia De Activación Rds(On):2.8Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):-4.5V |Nexperia NX3008PBKW,115
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 mA
Drain to Source Resistance4.1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance46 pF
Max Dual Supply Voltage-30 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation310 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation310 mW
Rds On Max4.1 Ω
Rise Time30 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen