Nexperia GAN041-650WSBQ

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
$ 7.67
Production
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DistributorSKUMinPkg
NewarkGAN041-650WSBQ521
Verical
3
GAN041-650WSBQ13.68625
Arrow ElectronicsGAN041-650WSBQ26814
Rochester ElectronicsGAN041-650WSBQ18.696
1d
Future ElectronicsGAN041-650WSBQ300300Tube

Datenblätter und Dokumente

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Future Electronics

Datasheet11 SeitenVor 6 Jahren

TME

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Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Nexperia GAN041-650WSBQ, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Verical
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 47.2 A, 41 Milliohms, 22 nC, TO-247, 3 Pins, Surface Mount
Avnet
650 V, 35 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package
Nexperia
650 V 35 mOhm Through Hole N-Channel Gallium Nitride (GaN) FET - TO-247
Future Electronics
Transistor JFET N-CH 650V 47.2A 3-Pin TO-247
Avnet Japan
Nexperia MOS, Vds=650 V, 47.2 A, TO-247
UnikeyIC
GAN TRANSISTOR, 650V, 47.2A, TO-247; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:47.2A; Typical Gate Charge:22nC; Transistor Mounting:Through Hole; No. of Pins:3Pins; Product Range:-; Qualification:- RoHS Compliant: Yes
Newark

Bilder

Nexperia
Newark
TME

Aliasnamen des Herstellers

Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)