Nexperia BUK9M9R1-40EX
$ 0.321
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | BUK9M9R1-40EX | 12.000 | 1500 | |||||||||
| Arrow Electronics | BUK9M9R1-40EX | 2.444 | 1 | |||||||||
| TME | BUK9M9R1-40EX | 0 | 1 | 5h | ||||||||
| Newark | BUK9M9R1-40EX | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | BUK9M9R1-40EX | 0 | 1500 | 15h |
Bestandsverlauf
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Verwandte Teile
NexperiaBUK9M7R2-40EX
MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33 / N-Channel 40 V 70A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount LFPAK33
Diodes Inc.DMTH4007LK3-13
2.6W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 29.1nC@ 10 V 1N 40V 7.3m¦¸@ 20A,10V 16.8A,70A 1.895nF@30V TO-252-3
Diodes Inc.DMTH4007LK3Q-13
Mosfet, N-Ch, 40V, 70A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH4007LK3Q-13
Diodes Inc.DMTH4007SK3-13
3.1W(Ta) 20V 4V@ 250¦ÌA 41.9nC@ 10 V 1N 40V 6m¦¸@ 20A,10V 17.6A,76A 2.082nF@25V TO-252-3
InfineonBSC886N03LSGATMA1
Infineon Technologies N channel OptiMOS3 power MOSFET, 30 V, 13 A, TDSON-8, BSC886N03LSGATMA1
NexperiaBUK9M6R6-30EX
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 70 A, 5.3 Milliohms, LFPAK33, 8 Pins, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BUK9M9R1-40EX, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33 / N-Channel 40 V 64A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount LFPAK33
N-channel 40 V, 9.1 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33
Trans MOSFET N-CH 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
MOSFET Devices; NEXPERIA; BUK9M9R1-40EX; 40 V; 64 A; 6.2 mOhm
场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 40V, SOT-1210;
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 40V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, SOT-1210; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 64A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0062ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.7V; Power Dissipation Pd: 75W; Transistor Case Style: SOT-1210; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)64 A
Drain to Source Resistance9.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Input Capacitance2.048 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max7.3 mΩ
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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