Nexperia BUK7K6R2-40EX
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-04-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Verwandte Teile
InfineonIPD50N04S4L08ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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40V, N-Ch, 7.5 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS
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40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
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VISHAY SIR418DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 40 V, 0.00415 ohm, 10 V, 2.4 V
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BUK7K6R2-40EX, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
BUK7K6R2 Series 40 V 5.8 mOhm Dual N-Channel Standard MOSFET - LFPAK-56D
MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK / Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
Mosfet, Dual N-Ch, 40V, 40A, Lfpak56D Rohs Compliant: Yes |Nexperia BUK7K6R2-40EX
68W 20V 4V@1mA 32.3nC@ 10V 2N 40V 5.8m¦¸@ 20A,10V 40A 2.21nF@25V LFPAK-56D 1.15mm
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.0058ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, 双 N沟道, 40V, 40A, LFPAK56D;
MOSFET Dual N-channel 40V Mosfet
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance5.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationDual
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.21 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation68 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max5.8 mΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time9.5 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen