Nexperia BSS84AKM,315
$ 0.154
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | BSS84AKM,315 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | BSS84AKM,315 | 0 | 20K | 3h | ||||||||
| Win Source | WS-BSS84AKM,315 | 92.120 | 610 | 1h | ||||||||
| Classic Components | BSS84AKM,315 | 81.600 | 19h | |||||||||
| UnikeyIC | BSS84AKM,315 | 90.000 | 10K | Tape & Reel | 7h |
CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BSS84AKM,315, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-channel MOSFET, -50V, -130mA, SOT-23, used for low-power switching and load management applications
MOSFET Devices; NEXPERIA; BSS84AKM, 315; -50 V; -230 mA; 20 V; 340 mW
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A Automotive 3-Pin DFN T/R
BSS84AKM Series 50 V 7.5 Ohm 0.26 nC P-Channel TrenchMOS FET - SOT-883
BSS84AKM - 50 V, 230 mA P-channel Trench MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 50V, 8.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P-CH, 50V, 0.23A, SOT-883;
MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3
NOW NEXPERIA BSS84AKM - SMALL SI
P CH MOSFET, TRENCH, -50V, -230MA, SOT-883; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-0.23A; Drain Source Voltage Vds:-50V; On Resistance Rds(on):4.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)230 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-50 V
Drain to Source Resistance8.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-50 V
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance36 pF
Max Dual Supply Voltage-50 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.7 W
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation340 mW
Rds On Max7.5 Ω
Rise Time11 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height500 µm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen