Nexperia BSP52,115
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Price @ 1000
$ 0.457
$ 0.181
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Stock
1,041,935
3,163,877
3,163,877
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
-
SOT-223-4
SOT-223-4
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
80 V
80 V
Max Collector Current
500 mA
1 A
1 A
Transition Frequency
200 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
1.3 V
1.3 V
hFE Min
2000
2000
2000
Power Dissipation
1.5 W
800 mW
800 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BSP52,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
80 V 1 A Surface Mount NPN Darlington Transistor - SOT-223
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Darlington Triodes NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=1000 P=1.25W SOT223
Trans Darlington NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
TRANS NPN 90V 0.1A SOT223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency Typ ft:200MHz; Power Dissipation Pd:1.25W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:2000; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:1.3V; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:200MHz; Hfe Min:2000; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:1.25W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Darlington
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals4
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage1.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
hFE Min2000
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency200 MHz
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen