Nexperia BSP126,115
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Price @ 1000
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Stock
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125,301
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
-
Case/Package
SOT-223
SOT
Drain to Source Voltage (Vds)
250 V
250 V
Continuous Drain Current (ID)
375 mA
350 mA
Threshold Voltage
2 V
-
Rds On Max
5 Ω
5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.5 W
1.5 W
Input Capacitance
120 pF
120 pF
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-02-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BSP126,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
BSP126 Series 250V 5 Ohm 1.5W N-Ch Enhancement Mode D-MOS Transistor - SOT-223
MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 / Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
MOSFET Devices; NEXPERIA; BSP126, 115; 250 V; 300 mA; 1.5 W; 2.8 Ohm
N-channel enhancement mode vertical D-MOS logic level FET
Resistor 1.5W 2.8V 250V 375mA SOT-223, 6.7mm L × 1.8mm H
375 mA 250 V N-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 0.375A I(D), 250V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IC,BSP126,115,TAPE-7 MOSFET <A Z
NOW NEXPERIA BSP126 - 0.35A, 250
MOSFET, N CH, 250V, 375MA, SOT223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:300mA; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:1.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:375mA; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:1.5W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Enhancement; Voltage Vds Typ:250V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)375 mA
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance5 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)250 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance120 pF
Max Dual Supply Voltage250 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max5 Ω
Resistance5 Ω
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen