Nexperia BSH203,215
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1998-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BSH203,215, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
BSH203 Sereies 30 V 1.65 Ohm 2.2 nC 417 mW P-Channel Silicon SMT MOSFET - SOT-23
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-280mA; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):900mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-680mV; Power Dissipation Pd:417mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-470mA; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:417mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Enhancement; Voltage Vds Typ:-30V; Voltage Vgs Max:-680mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)470 mA
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance1.1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Dual Supply Voltage-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance110 pF
Max Dual Supply Voltage-30 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-680 mV
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation417 mW
Rds On Max900 mΩ
Resistance900 mΩ
Rise Time4.5 ns
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-680 mV
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time2 ns
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen