Nexperia BCW89,215
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Stock
2,665,067
7,918,099
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-236-3
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
Max Collector Current
100 mA
500 mA
Transition Frequency
150 MHz
-
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
-300 mV
hFE Min
120
120
Power Dissipation
250 mW
350 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BCW89,215, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
BCW89 Series 60 V 100 mA SMT PNP General Purpose Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, 60V, SOT-23;
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R
TRANS, PNP, -60V, 150MHZ, SOT23-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:260hFE; RF
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityPNP
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height1.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen