Nexperia BCV61C

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
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Datasheet13 SeitenVor 16 Jahren
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Alternative Teile

Price @ 1000
$ 0.268
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Stock
483,267
3,559,750
3,559,750
Authorized Distributors
0
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-143
TO-253-4
TO-253-4
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
600 mV
600 mV
hFE Min
420
110
110
Power Dissipation
250 mW
250 mW
250 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-10-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Verwandte Teile

Bipolar Transistor Array, Dual PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, 220 hFE, SOT-143, 4 Pins
Single Bipolar Transistor, Dual NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-143, 4 Pins, Surface Mount
NXP SemiconductorsBFG520/XR,215
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Rochester ElectronicsBF2040RE6814
Power Field-Effect Transistor, 0.04A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
BFP183 Series 12 V 65 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-143
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

Beschreibungen

Beschreibungen von Nexperia BCV61C, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
Bipolar (BJT) single-bipolar transistor
100 mA 30 V 2 CHANNEL NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
TRANSISTOR, DUAL, NPN, SOT-143; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:110; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-143; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Collector Emitter Voltage Vces:600mV; Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic @ Vce Sat:100mA; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:100µA; Gain Bandwidth ft Min:100MHz; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:100; No. of Transistors:2; Package / Case:SOT-143; Power Dissipation Pd:250mW; Power Dissipation Ptot Max:250mW; SMD Marking:1Kp; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:30V

Aliasnamen des Herstellers

Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • Infineon_Nexperia
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)