Nexperia BC857A,215
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3,570,024
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
-650 mV
-650 mV
hFE Min
125
125
125
Power Dissipation
250 mW
300 mW
300 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1997-04-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.BC857A-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.BC857C-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BC857A,215, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
BC857 Series 45 V 100 mA PNP General Purpose Transistor - SOT-23
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
TRANS PNP 45V 0.1A TO236AB / Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Bipolar Junction Transistors - BJT; NEXPERIA; BC857A, 215; PNP; 3
General Purpose Transistors PNP Ic=100mA Vceo=45V hfe=125~250 P=250mW SOT23
-75mV @IC = -10 mA; IB = -0.5 mA PNP 250mW -5V 15nA -65V 45V 100mA TO-236AB 1.4mm
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Automotive AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Bipolar (BJT) Transistor 125 @ 2mA 5V 100mA 250mW 100MHz
PNP Transistor 45V 100mA hFE=125...25
100 mA 45 V PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -45V, -100MA, 3-SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency Typ ft:100MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:250
Bipolar Transistor, Pnp, -45V, -100Ma, 3-Sot-23, Full Reel; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:45V; Continuous Collector Current:100Ma; Power Dissipation:250Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pinsrohs Compliant: Yes |Nexperia BC857A,215.
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min125
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen