Nexperia BC849B,215
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Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
600 mV
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
250 mW
-
-
Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BC849B,215, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
BC849 Series 30 V 100 mA NPN General Purpose Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
600mV@ 5mA,100mA NPN 250mW 5V 15nA 30V 30V 100mA TO-236AB SMD mount 1.1mm(height)
30V 250mW 100mA 290@2mA5V 100MHz 200mV@100mA5mA NPN +150¡Í@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
NPN Transistor, 45V, 100mA, 0.5W, TO-92
100 mA 30 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency Typ, ft:100MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain Max (hfe):290 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
PolarityNPN
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen