Nexperia BC847,215

Name: Nexperia BC847,215
Brand: Nexperia
SKU: BC847,215

Bipolar Junction Transistors - BJT; NEXPERIA; BC847, 215; NPN; 3; 45 V; 100 mA

$ 0.021

Production

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		BC847,215	60.300	3K						0,022	2d
Newark	2	BC847,215	38.629	5	Cut Tape		0,136	0,083	0,083	0,083
Verical	7	BC847,215	320.700	18988
Arrow Electronics		BC847,215	3.295	1		0,017	0,010	0,008	0,008	0,008
Rochester Electronics	2	BC847,215	867.942					0,021	0,018	0,016	19h

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 3 Jahren

Datasheet17 SeitenVor 11 Jahren

Farnell

Newark

Upverter

Future Electronics

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NexperiaBC847,215

NexperiaBC847,235

Price @ 1000

$ 0.021

$ 0.024

Stock

8,560,127

3,423,027

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

TO-236-3

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

45 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

100 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

400 mV

hFE Min

110

Power Dissipation

250 mW

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date1997-09-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Nexperia BC847,215, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar Junction Transistors - BJT; NEXPERIA; BC847, 215; NPN; 3; 45 V; 100 mA

Maritex

Nexperia BC847,215 Bipolar Transistor NPN Tape on Full reel for switching

Rapid Electronics

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

IHS

Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R

North Star Micro

BC847 Series 45 V Surface Mount NPN General Purpose Transistor - SOT-23

Future Electronics

100 mA 45 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB

Component Stockers USA

Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency Typ, ft:100MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain Max (hfe):110 ;RoHS Compliant: Yes

Newark

TRANSISTOR, NPN, REEL 3K; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:110; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Collector Emitter Voltage Vces:200mV; Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:2mA; Device Marking:BC847; Gain Bandwidth ft Min:100MHz; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:125; Hfe Typ:125; No. of Transistors:1; Noise Factor Max:10dB; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:250mW; Power Dissipation Ptot Max:250mW; Reel Quantity:3000; SMD Marking:1H; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:50V

element14 APAC

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Nexperia USA Inc
NEXPER
Nexperia BV
NXP/NEXPERIA
Nexperia USA
NEXP
Nexperi
NEXPERIA / NXP
Nexperia Inc
Nexperia/NXP Semiconductors
NEXPERIA(Nexperia)
NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
Nexperia(Ahn Se)
Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
NEXPERIA/N
NEXPERIA/PHILIPS
NEXPERIA USA INC (UA)
NEX-NXP
NEXPERIA USA INC (VA)
NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

BC847,215.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight4.535924 g

Technical

Ambient Temperature Range High150 °C

Collector Base Voltage (VCBO)50 V

Collector Emitter Breakdown Voltage45 V

Collector Emitter Saturation Voltage400 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)6 V

Frequency100 MHz

Gain Bandwidth Product100 MHz

hFE Min110

Max Breakdown Voltage45 V

Max Collector Current100 mA

Max Frequency100 MHz

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation250 mW

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements1

PackagingCut Tape

PolarityNPN

Power Dissipation250 mW

Schedule B8541210080

TerminationSMD/SMT

Transition Frequency100 MHz

Dimensions

Height1.1 mm

Length3 mm

Width1.4 mm

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