Nexperia BAS21W,115
$ 0.037
Production
Preis und Lagerbestand
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -21.57%
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.70
Introduction Date2009-10-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsBAT54JFILM
BAT54 Series 300 mA 900 mV Schottky Diode Surface Mount - SOD-323
STMicroelectronicsBAS70JFILM
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.07A, 70V V(RRM), Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BAS21W,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.225A, 250V V(RRM), Silicon
250V +150¡Í@(Tj) 200mW Single 1.25V@200mA 50ns 100nA@200V 225mA SOT-323 Switching Diode ROHS
DIODE, SWITCH, 250V, 0.225A, SOT323; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:-; Forward Current If(AV):225mA; Forward Voltage VF Max:1.25V; Reverse Recovery Time trr Max:50ns; Forward Surge Curren
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -21.57%
CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins70
Number of Terminals3
Technical
Average Rectified Current225 mA
Element ConfigurationSingle
Forward Current225 mA
Forward Voltage1 V
Max Forward Surge Current (Ifsm)1.7 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current225 mA
Max Power Dissipation200 mW
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)250 V
Max Reverse Leakage Current100 nA
Max Reverse Voltage (DC)250 V
Max Surge Current625 mA
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Peak Non-Repetitive Surge Current9 A
Peak Reverse Current100 nA
Power Dissipation200 mW
Recovery Time50 ns
Reverse Recovery Time50 ns
Reverse Standoff Voltage200 V
Schedule B8541100070
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen