Nexperia BAS16W,115
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Stock
6,735,387
2,753,027
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-323
SOT-323
Forward Voltage
1.25 V
715 mV
Reverse Voltage (DC)
-
-
Average Rectified Current
175 mA
175 mA
Max Reverse Leakage Current
500 nA
-
Reverse Recovery Time
4 ns
4 ns
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.70
Introduction Date1996-09-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BAS16W,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
DIODE GEN PURP 100V 175MA SOT323 / Diode Standard 100 V 175mA (DC) Surface Mount SOT-323
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.175A, 100V V(RRM), Silicon
DIODE, ULTRAFAST, 175MA, SOT-323-3; Diode Type:Ultrafast; Diode Configuration:Single; Forward Current If(AV):175mA; Forward Voltage VF Max:1.25V; Reverse Recovery Time trr Max:4ns; Forward Surge Current Ifsm Max:4A; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Max:150°C; Diode Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; MSL:(Not Available); SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-323
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Average Rectified Current175 mA
Element ConfigurationSingle
Forward Current175 mA
Forward Voltage1.25 V
Max Forward Surge Current (Ifsm)4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current175 mA
Max Power Dissipation200 mW
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)100 V
Max Reverse Leakage Current500 nA
Max Reverse Voltage (DC)100 V
Max Surge Current4 A
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Peak Non-Repetitive Surge Current4 A
Peak Reverse Current500 nA
Power Dissipation200 mW
Recovery Time4 ns
Reverse Recovery Time4 ns
Reverse Standoff Voltage80 V
Schedule B8541100070
TerminationSMD/SMT
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen