Nexperia 2N7002PW,115
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsBSH111,215
NEXPERIA - BSH111,215 - MOSFET Transistor, N Channel, 335 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia 2N7002PW,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
2N7002PW Series N-Channel 60 V 1.6 Ohm 260 mW 0.8 nC SMT TrenchMOS FET - SOT-323
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.36A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:310Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.75V; Power Dissipation:260Mw; No. Of Pins:3Pinsrohs Compliant: Yes |Nexperia 2N7002PW,115.
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -3.13%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)310 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance50 pF
Max Dual Supply Voltage60 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation830 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation260 mW
Rds On Max1.6 Ω
Resistance1.6 Ω
Rise Time4 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen