NEC 2SK2480
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 1.467
Stock
10,614
284,969
Authorized Distributors
0
3
Mount
Through Hole
-
Case/Package
-
TO-220
Drain to Source Voltage (Vds)
-
900 V
Continuous Drain Current (ID)
3 A
3 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
-
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
-
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1995-08-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2009-10-30
LTD Date2010-04-30
Beschreibungen
Beschreibungen von NEC 2SK2480, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE / Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Isolated
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
3 A 900 V 4 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
NEC verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NEC ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NEC ELECTRONICS
- NEC TOKIN
- NEC Corporation
- NEC CORP
- NEC ELECTRONICS CORP
- NEC ELECTRONICS AMERICA INC
- NECELEC
- NEC/TOKIN ELECTRONICS
- NEC DISPLAY SOLUTIONS
- NEC ELECTRONICS INC
- NEC Electronics America
- NEC RELAYS
- NECC
- NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES LTD
- NEC Electronics Group
- NEC DISPLAYS
- NEC ELECTR
- NEC DISCRETE SEMICONDUCTORS
- NEC ELECT
- NEC (VA)
- NEC UPD
- NEC (CEL)
- NEC DISPLAY SOLUTIONS OF AMERI
- NEC TOKIN KEMET
- NEC/RENESAS
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Resistance4 Ω
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rise Time7 ns
Turn-Off Delay Time63 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen