Renesas CM225DX-24S1

Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
NewarkCM225DX-24S1010
ATI ACCURATE TECHNOLOGYCM225DX-24S1-MITSUBISHI5
9h
XINVRYCM225DX-24S1Kontakt
>1wk

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Newark

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-12-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Renesas CM225DX-24S1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IHS
IGBT MODULE S1-SERIES NX TYPE DUAL
Galco
POWER IGBT TRANSISTOR
Richardson RFPD
Igbt, Module, 1.2Kv, 225A; Continuous Collector Current:225A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.9V; Power Dissipation:1.25Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Tab; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv Rohs Compliant: Yes |Mitsubishi Electric CM225DX-24S1
Newark

Aliasnamen des Herstellers

Renesas verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Renesas ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Renesas Electronics
  • Renesas Electronics America Inc
  • Renesas Electronics America
  • RENESA
  • REN
  • RENES
  • RENESAS TECHNOLOGY CORP
  • RENESAS TECHNOLOGY
  • Renesas Electronics Corporation
  • RENESAS ELECTRONICS CORP
  • RENSAS
  • RENASAS
  • Renesas / Intersil
  • RNS
  • RENESAS-PB
  • RENESASTEC
  • RENESES
  • Renesas Technology America
  • Renesas Design Germany GmbH
  • Renesas / IDT
  • RENESASE
  • RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
  • Renesas Electronics Operations Services Limited
  • RENEASAS
  • RENESAS/M