Renesas CM100DY-24NF

Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Obsolete
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Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Newark

iiiC

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-03-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-03-15
LTD Date2025-09-30

Beschreibungen

Beschreibungen von Renesas CM100DY-24NF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 650W 7-Pin
IGBT MOD 1200V 100A 650W
Igbt Module; Continuous Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage:2.5V; Power Dissipation:650W; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Stud; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv; Transistor Mounting:Panelrohs Compliant: Yes |Mitsubishi Electric CM100DY-24NF

Aliasnamen des Herstellers

Renesas verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Renesas ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Renesas Electronics
  • Renesas Electronics America Inc
  • Renesas Electronics America
  • RENESA
  • REN
  • RENES
  • RENESAS TECHNOLOGY CORP
  • RENESAS TECHNOLOGY
  • Renesas Electronics Corporation
  • RENESAS ELECTRONICS CORP
  • RENSAS
  • RENASAS
  • Renesas / Intersil
  • RNS
  • RENESAS-PB
  • RENESASTEC
  • RENESES
  • Renesas Technology America
  • Renesas Design Germany GmbH
  • Renesas / IDT
  • RENESASE
  • RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
  • Renesas Electronics Operations Services Limited
  • RENEASAS
  • RENESAS/M

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • CM100DY24NF