Microchip DN2540N3-G
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Lieferkette
Projected EOL Date2034-09-16
Country of AssemblyPhilippines, Taiwan
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginPhilippines, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 11 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 11 hours ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZVN3320ASTOA
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3 / Trans MOSFET N-CH 200V 0.1A 3-Pin E-Line T/R
onsemiVN2222LLRLRA
Tape & Reel (TR) Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 150mA Ta 150mA 400mW 10ns
Beschreibungen
Beschreibungen von Microchip DN2540N3-G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 400V 120MA TO92 N-Channel 400 V 120mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92 (TO-226)
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
Microchip Nchannel depletion modeMOSFETTube DN2540series, Vds=400 V, 120 mA, TO-92encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N CH, 400V, 0.12A, TO-92-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120mA; Drain Source Voltage Vds: 400V; On Resistance Rds(on): 17ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 0V; Threshold Voltage Vgs: -; Powe
Aliasnamen des Herstellers
Microchip verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Microchip ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight453.59237 mg
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)120 mA
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance17 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
HS Code8541.29.0055, 8541.29.0095
Input Capacitance300 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
PackagingBulk
Power Dissipation1 W
Rds On Max25 Ω
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height5.334 mm
Length5.21 mm
Width4.19 mm
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