onsemi SSN1N45BBU
$ 0.197
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-12-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-06
LTD Date2008-12-06
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTQ1NC45R-AP
3.1W(Tc) 30V 3.7V@ 250¦ÌA 7nC@ 10 V 1N 450V 4.5¦¸@ 500mA,10V 500mA 160pF@25V TO-92-3 4.95mm
onsemiFQNL1N50BTA
MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3 / N-Channel 500 V 270mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi SSN1N45BBU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bulk Through Hole N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 500mA Tc 900mW Ta 450V -55C~150C TJ
MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 450V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
MOSFETs N-CH/450V/0.5A/BFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
FAIRCHILD TO-92-3
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-226-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)500 mA
Current Rating500 mA
Drain to Source Breakdown Voltage450 V
Drain to Source Resistance4.25 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)450 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)50 V
Input Capacitance240 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage450 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation900 mW
Rds On Max4.25 Ω
Rise Time21 ns
Turn-Off Delay Time23 ns
Voltage Rating (DC)450 V
Datenblätter und Dokumente
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