Microchip DN2450N8-G
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Lieferkette
Projected EOL Date2039-04-07
Country of AssemblyChina, Taiwan
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginChina, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
Verwandte Teile
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ZXMN10A07Z Series 100 V 0.7 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
Beschreibungen
Beschreibungen von Microchip DN2450N8-G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 500V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
DN2450 Series 500 V 230 mA 10 Ohm N-Channel Depletion Mode MOSFET - TO-243AA
Depletion-Mode N-Channel, 10Ω, -1.5 to -3.5V, SOT-89-3, RoHS
Microchip SCT
MOSFET, DEPLETION-MODE, 500V, 10 Ohm
MOSFET N-CH 500V 0.23A SOT89-3
Small Signal FET [Microchip] DN2450N8-G Small Signal FET
1.6W(Ta) 20V 1N 500V 10¦¸@ 300mA,0V 230mA 200pF@25V SOT
SOT-89-3 Pre-ordered MCUs ROHS
MOSFET N-CH 500V 230MA TO243AA
Mosfet, N Channel, 500V, 0.23A, To-243Aa-3; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:230Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:0V; Gate Source Threshold Voltage Max:- Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology DN2450N8-G
Aliasnamen des Herstellers
Microchip verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Microchip ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Weight52.786812 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)230 mA
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
HS Code8541.29.0055, 8541.29.0095
Input Capacitance200 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max10 Ω
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.6 mm
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