Diodes Inc. ZXMN10A07ZTA
$ 0.248
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXMN10A07ZTA | 1.097 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZXMN10A07ZTA | 2 | 1 | Bulk | 17h | |||||||
| DigiKey | ZXMN10A07ZCT-ND | 3.801 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXMN10A07ZTA | 1.656 | 1 | 3h | ||||||||
| Avnet | ZXMN10A07ZTA | 0 | 1K | 1d |
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Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXMN6A11ZTA
ZXMN6A11Z Series 60 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
onsemiPCP1405-TD-H
MOSFET N-CH 250V 0.6A SOT89 / Trans MOSFET N-CH 250V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMN10A07ZTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
ZXMN10A07Z Series 100 V 0.7 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT89 PACKAGE ID=1A SOT89-3
Trans MOSFET N-CH 100V 1.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Mosfet, N-Ch, 100V, 1.4A, Sot-89 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMN10A07ZTA
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight130.492855 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Current Rating700 mA
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance700 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance138 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.6 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max700 mΩ
Resistance700 mΩ
Rise Time1.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time4.1 ns
Turn-On Delay Time1.8 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen