Microchip APT68GA60LD40
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Projected EOL Date2044-04-30
Country of AssemblyPhilippines
Country of FabricationJapan, Taiwan, United States of America
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
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Mid-Frequency Series - 300V - 1400V [15 - 40 kHz] PT (Punch Through) IGBTs, TO-264, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Microchip APT68GA60LD40, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Igbt Pt Mos 8 Combi 600 V 68 A To-264 3; |Microchip Technology APT68GA60LD40
Trans IGBT Chip N-CH 600V 121A 3-Pin(3+Tab) TO-264
520W 600V 121A TO-264 Through hole mounting
Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
Aliasnamen des Herstellers
Microchip verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Microchip ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
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Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
HS Code8541.29.0055, 8541.29.0095
Max Collector Current121 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation520 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time22 ns