Microchip APT100GT120JRDQ4
$ 50.175
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Lieferkette
Projected EOL Date2044-04-30
Country of AssemblyPhilippines
Country of FabricationMalaysia, Taiwan, United States of America
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 16 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 16 hours ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Microchip APT100GT120JRDQ4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Module N-CH 1200V 123A 570000mW 4-Pin SOT-227 Tube
IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 100 A SOT-227
Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Standard Speed
IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA
570W 3.7V@ 15V,100A 123A SOT-227
Aliasnamen des Herstellers
Microchip verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Microchip ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-227
MountChassis Mount, Screw
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
HS Code8541.29.0055, 8541.29.0095
InputStandard
Input Capacitance7.85 nF
Max Collector Current123 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation570 W
Min Operating Temperature-55 °C
NTC ThermistorNo
Schedule B8541290080