Microchip 2N6660
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Lieferkette
Projected EOL Date2034-02-19
Country of AssemblyThailand
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.0060
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 2 days ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Microchip 2N6660, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
2N6660 Series 60 V 3 Ohm Through Hole N-Channel HEXFET Mosfet - TO-205AD (TO-39)
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag / MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3
MOSFET, N CH, 60V, 1.7A, TO-39; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.1A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 2.7ohm; Rds; Available until stocks are exhausted Alternative available
Mosfet, N Channel, 60V, 1.1A, To-39; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:1.1A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:60V; Resistencia De Activación Rds(On):2.7Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Solid State 2N6660
Aliasnamen des Herstellers
Microchip verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Microchip ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-39-3
Contact PlatingGold
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)410 mA
Current11 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
HS Code8541.29.0055, 8542.39.0090
Input Capacitance50 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6.25 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation6.25 W
Rds On Max3 Ω
Schedule B8542390000
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage60 V
Dimensions
Height6.604 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen