MACOM CGH40006P
$ 80.677
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 1465-CGH40006P-ND | 747 | 1 | Tray | ||||||||
| Richardson RFPD | CGH40006P | 0 | 80 | 21h | ||||||||
| Mouser | 941-CGH40006P | 48 | 1 | Tray | ||||||||
| Microchip USA | CGH40006P | 300 | 20 | Tray | 7h | |||||||
| Win Source | WS-CGH40006P | 10 | 1 | 15h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -19.04%
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0 Teile verfügbar
Lieferkette
Country of OriginUSA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Technische Ressourcen
Evaluierungskits und Referenzdesigns für MACOM CGH40006P anzeigen.
Referenz-Designs
Beschreibungen
Beschreibungen von MACOM CGH40006P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
RF MOSFET HEMT 28V 440109 / RF Mosfet HEMT 28 V 100 mA 0Hz ~ 6GHz 13dB 8W 440109
3.75W,120W -10V,+2V 4V@ 250uA 33nC@ 10V 60V 55m¦¸@ 10V,13.5A 27A 1.1nF@ 25V 440109
Trans RF MOSFET N-CH 120V 0.75A 3-Pin Case 440109
RF Power Field-Effect Transistor
Aerospace & Defense, 28 V, 6 GHz, 6W, Pill, RoHS
Wolfspeed SCT
C BAND GaN N-CHANNEL RF POWER HEMFET
Aliasnamen des Herstellers
MACOM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. MACOM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- MACOM Technology Solutions
- M/A COMM
- TYCO M/A-COM
- MACOM Technology Solutions Inc
- PICO MACOM
- M/A COM INC
- MNDSPEED
- M/A-COMO
- M/A-COM TECH SOLUTIONS
- Metelics (MACOM Technology Solutions)
- MACOM TECHNOLOGY
- TE/MACOM
- Omni Spectra / M/A-Com
- M/A-COM LTD
- M/A-COM Technology Soluti
- M/A-Com (Tyco - M/A-Com)
- MINDSPEED
- MACOM / SPECTRA
- MACOM/MINDSPEED
- M/A COM INTEGRATED
- MACOM (Metelics)
- MindspeedTechnologies
- MACOM Datasheet
- COBHAM PLC
- MICROMETRICS INC
- MA-COM
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialCeramic
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)750 mA
Current Rating3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage84 V
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Efficiency65 %
Gain11 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)-10 V
Max Frequency6 GHz
Max Junction Temperature (Tj)225 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Power6 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Output Power8 W
Test Current100 mA
Test Voltage28 V
Voltage Rating28 V