Littelfuse IXTH24N50L
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-11-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW20NK50Z
N-channel 500 V, 0.23 Ohm, 17 A SuperMESH(TM) Power MOSFET Zener-protected TO-247
STMicroelectronicsSTW20NM50FD
N-Channel 500V - 0.22Ohm - 20A - TO-247 FDmesh(TM) POWER MOSFET (with FAST DIODE)
InfineonIPW60R230P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3 N-Channel 600 V 16.8A (Tc) 126W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
InfineonSPW21N50C3FKSA1
MOSFET N-CH 560V 21A TO247-3 N-Channel 560 V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Beschreibungen
Beschreibungen von Littelfuse IXTH24N50L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 500 V 300 mOhm 300 W Power Mosfet - TO-247 AD
Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247
N-Ch MOSFET 500V 24A 300mΩ@500mA,20V 400W(Tc) 30V 5V@250µA 160nC@20V 2.5nF@25V TO-247 TH 16.26mm × 5.3mm × 21.46mm
Standard Series - 200V - 2500V N-Channel Linear Power MOSFETs with Extended FBSOAs, TO-247, RoHS
Littelfuse SCT
MOSFET, N-CH, 500V, 24A, TO-247-3;
MOSFET 24 Amps 500V 0.30 Ohms Rds
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
MOSFET [Ixys] IXTH24N50L MOSFET
DiscMosfet N-CH Linear Std TO-247AD
Aliasnamen des Herstellers
Littelfuse verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Littelfuse ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation400 W
Rds On Max300 mΩ
Resistance230 mΩ
Reverse Recovery Time500 ns
Rise Time85 ns
Turn-Off Delay Time110 ns