Littelfuse IXTA26P20P
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Lieferkette
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-09-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPB072N15N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 100 A, 72 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
VishaySUM65N20-30-E3
SUM65N20 Series 200 V 65 A 30 mOhm Surface Mount N-Channel Mosfet - D2PAK-3
InfineonIPB600N25N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 25 A, 0.051 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
VishaySUM40N15-38-E3
SUM40N15-38-E3 N-channel MOSFET Transistor; 40 A; 150 V; 2+Tab-Pin TO-263
Beschreibungen
Beschreibungen von Littelfuse IXTA26P20P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, P-Ch, 200V, 26A, To-263Aa Rohs Compliant: Yes |Ixys Semiconductor IXTA26P20P
Single P-Channel 200 Vds 170 mOhm 300 W Power Mosfet - TO-263-3
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Polar™ Series -100V to -600V P-Channel Power MOSFETs, TO-263AA, RoHS
Littelfuse SCT
Disc Mosfet P Channel-Polar TO-263D2
300W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 56nC@ 10 V 1P 200V 170m¦¸@ 13A,10V 26A 2.74nF@25V TO-263AA 10.41mm*9.65mm*4.83mm
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
P-CH -200V -26A 170mOhm TO-263D2
Aliasnamen des Herstellers
Littelfuse verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Littelfuse ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)26 A
Drain to Source Breakdown Voltage-200 V
Drain to Source Resistance170 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.74 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max170 mΩ
Reverse Recovery Time240 ns
Rise Time33 ns
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Datenblätter und Dokumente
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