Littelfuse IXFH12N120P
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Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-09-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW11NK90Z
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 9.2 A, 980 Milliohms, TO-247, 3 Pins, Through Hole
STMicroelectronicsSTW12N120K5
N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Littelfuse IXFH12N120P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 1200 Vds 1.35 Ohm 543 W Power Mosfet - TO-247
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1200V, 1.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
543W(Tc) 30V 6.5V@1mA 103nC@ 10 V 1individualNChannel 1.2KV 1.35Ω@ 500mA,10V 12A 5.4nF@25V TO-247AD Through hole mounting 16.26mm*5.3mm*21.46mm
Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 12A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; Continuous Drain Current Id:12A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:6.5V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Ixys Semiconductor IXFH12N120P
Aliasnamen des Herstellers
Littelfuse verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Littelfuse ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -81.07%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance1.35 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance5.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation543 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation543 W
Rds On Max1.35 Ω
Resistance1.35 Ω
Reverse Recovery Time300 ns
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage6.5 V
Turn-Off Delay Time62 ns
Datenblätter und Dokumente
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