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Datenblätter und Dokumente
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Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTE140NF20D
N-channel 200 V, 10 mOhm typ., 140 A STripFET(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in an ISOTOP package
NXP SemiconductorsMRFE6VS25LR5
RF Power Transistor,1.8 to 2000 MHz, 25 W, Typ Gain in dB is 25.9 @ 512 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1791
NXP SemiconductorsMRFE6VP100HR5
RF Power Transistor,1.8 to 2000 MHz, 100 W, Typ Gain in dB is 27.2 @ 512 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
Beschreibungen
Beschreibungen von Littelfuse VMK90-02T2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 200V 83A 7-Pin TO-240AA
Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 200V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-240AA
MOSFET Transistor
Aliasnamen des Herstellers
Littelfuse verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Littelfuse ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountChassis Mount, Screw
Number of Pins7
Number of Terminals7
Technical
Continuous Drain Current (ID)84 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance15 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation430 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements2
Power Dissipation430 W
Rds On Max25 mΩ
Resistance25 MΩ
Rise Time80 ns
Turn-Off Delay Time200 ns
Datenblätter und Dokumente
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