Littelfuse IXTH30N50L2
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-09-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Verwandte Teile
InfineonSPW32N50C3FKSA1
MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3 N-Channel 560 V 32A (Tc) 284W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
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N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
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InfineonIPW65R150CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Littelfuse IXTH30N50L2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N Channel 600 V 215 mO 240 nC 400 W Power Mosfet - TO-247
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.215ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
400W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 240nC@ 10 V 1individualNChannel 500V 200mΩ@ 15A,10V 30A 8.1nF@25V TO-247 Through hole mounting 16.26mm*5.3mm*21.46mm
MOSFET,N CH,500V,30A,TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Power Di
Aliasnamen des Herstellers
Littelfuse verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Littelfuse ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Elements1
Power Dissipation400 W
Rds On Max215 mΩ
Reverse Recovery Time500 ns
Rise Time117 ns
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time94 ns
Datenblätter und Dokumente
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