Littelfuse IXFH120N20P
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-11-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
onsemiHUFA75852G3-F085
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTW120NF10
N-channel 100 V, 0.009 Ohm, 110 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Littelfuse IXFH120N20P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH120N20P MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 200 V, 22 mohm, 10 V, 5 V
Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Polar™ Series - 100V - 1200V N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diodes (HiPerFETs), TO-247AD, RoHS
Littelfuse SCT
MOSFET, Single - N-Channel, 200V, 120A, 714W, TO-247
IXYS NMOS HiperFET, Polar, Vds=200 V, 120 A, TO-247, , 3
MOSFET + Inverse Diode TO247AD
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
DiscMosfetN-CH HiPerFET-Polar TO-247AD
Mosfet, N-Ch, 200V, 120A, 175Deg C, 714W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:5V Rohs Compliant: Yes |Ixys Semiconductor IXFH120N20P
Aliasnamen des Herstellers
Littelfuse verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Littelfuse ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation714 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation714 W
Rds On Max22 mΩ
Resistance22 MΩ
Reverse Recovery Time100 ns
Rise Time35 ns
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height25.96 mm
Length16.26 mm
Width5.3 mm