International Rectifier IRF5N5210
Production
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
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Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
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Alternative Teile
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-03-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
InfineonBTS247ZE3062ANTMA1
Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-220AB SMD T/R
InfineonIRL5NJ7413
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Beschreibungen
Beschreibungen von International Rectifier IRF5N5210, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package
P Channel 100 V 31 A Surface Mount Hexfet Power Mosfet - SMD-1
Trans MOSFET P-CH Si 100V 31A 3-Pin SMD-1
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
International Rectifier verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. International Rectifier ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- I&R
- IRF
- IOR
- INT'L RECTIFIER
- INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- INTERNATIONAL RECTIF
- RECT
- INT RECTIFIER
- OMNIREL
- INTERNATIO
- INT RECT
- SEMCOR
- INTLRECT
- INTERNATIONA
- INTERNATIONAL R
- INTERNATIONAL MICROCIRCUITS
- InternationRectifer
- INTER RECTIFIER
- International Rectifier (IR)
- INTERNATI
- IR - International Rectifier
- INTERNATIONAL RECT
- INTERNATIONAL RECTIFIER SE
- INTERNATIONAL RECTIFIER HIREL PRODUCTS LLC
- INTER REC
- IR
- International Rect.
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialCeramic
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance100 mΩ
Power Dissipation125 W
Turn-Off Delay Time103 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height3.58 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen