Infineon IRFN150
$ 133.93
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Alternative Teile
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Alternative Teile
Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 133.93
$ 218.67
$ 218.67
Stock
19
7,562
7,562
Authorized Distributors
1
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SMD/SMT
SMD/SMT
SMD/SMT
Drain to Source Voltage (Vds)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
34 A
34 A
34 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
-
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
150 W
150 W
150 W
Input Capacitance
-
-
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
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MOSFET N-CH 100V 800MA 3MCPH / N-Channel 100 V 800mA (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 3-MCPH
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFN150, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Non-Compliant Surface Mount No SVHC 4 V SMD/SMT 3 Production (Last Updated: 2 years ago) 150 W
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HEXFET, Hi-Rel 100V, 34A, 0.070 ohm
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialCeramic
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)34 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance81 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
On-State Resistance100 mΩ
Power Dissipation150 W
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen