Infineon SPD30N03S2L07GBTMA1
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SPD30N03S2L07GBTMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin TO-252 T/R
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
N-CHANNEL POWER MOSFET
SPD30N03 - OPTLMOS, 30A, 30V, 0.0098OHM,;
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Resistance9.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time47 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.53 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation136 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max6.7 mΩ
Rise Time17 ns
Turn-Off Delay Time62 ns
Turn-On Delay Time8 ns
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